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新华社成都12月4日电(记者吴晓颖)记者4日从电子科技大学获悉

成为亚太地域首位获此殊荣的科学家,他一生颁发学术论文200余篇,。

陈星弼1931年1月28日出生于上海,1952年从同济大学电机系结业后,成为首位入选名流堂的华人科学家,中国科学院院士、电子科技大学传授陈星弼因病医治无效,祖籍浙江浦江, 陈星弼是我国功率半导体规模的领路人和集大成者,享年89岁,1999年当选为中国科学院院士,2015年得到IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)揭晓的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,无极荣耀,于4日17时10分在成都逝世, 图集 +1 。

陈星弼曾得到国度技能发现奖、科技进步奖等诸多荣誉,被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”,得到中美等国专利授权40余项,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士,他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)事情,他的超结发现专利冲破传统“硅极限”,2018年入选IEEE ISPSD首届名流堂, 新华社成都12月4日电(记者吴晓颖)记者4日从电子科技大学获悉,他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家。

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